AO3414相关技术资料

一般说明
AO3414采用先进的沟槽技术,可提供出色的Rsro,低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压。该器件适合用作负载开关或PWM应用。标准产品AO3414不含铅。

特征
Vos(V)=20V I0=4.2A(Ves=4.5V)
Ros(on)<50m2(4s=4.5V)
Rosco)<63m2(4s=2.5V)
Ros(onN)<87mQ(4s=1.8)

注释:
A. 的值是在安装在1 In2 FR-4板上的设备上测量的,含2oz。铜,在TA-25 * C的空气环境中。任何glven应用程序中的值取决于用户的特定电路板设计。额定电流基于t≤10s的热阻额定值。
B. 重复额定值,脉冲宽度受结温限制。
C. R ua是从结到引导R au的热失效的总和并导致amblent。
D. 使用-300 us脉冲,占空比最大0.5%,可以看出图1至图6中的稳态特性。
E. 这些测试与安装在2FR-4板上的装置2oz相关。铜,在Ta = 25℃的环境中。 SOA曲线提供单脉冲额定值。