MT47H64M16NF-25E:M相关参数介绍


特征

·Vop = + 1.8V±0.1V,VDDO = + 1.8V±0.1V

·JEDEC标准1.8V1 / O(SSTL_18兼容)

·差分数据选通(DQS,DQS#)选项

·4n位预取架构

·x8的重复输出选通(RDQS)选项。

·DLI将DQ和DQS转换与CK对齐

·8个内部银行同时运作

·可编程CAS延迟(CL)

·发布CAS附加延迟(AL)

·WRITE延迟= READ延迟-1CK

·MT47H64M16NF-25E:M可选突发长度(BL):4或8

·可调节的数据输出驱动强度

·64ms,8192周期刷新

·片上终端(ODT)

·工业温度(IT)选项

·符合RoHS标准

·支持JEDEC时钟抖动规范


选项

·组态

-256Meg×4(32 Megx4x8组)256M4

-128 Megx8(16 Meg x8x8 bank)128M8-64Meg x16(8 Megx 16×8 bank)64M16

·FBGA封装(无铅)-x16

-84-ball FBGA(8mmx12.5mm)HR Rev.G.H

·FBGA封装(无铅) - ×4,x8

-60-ball FBGA(8mmx11.5mm)HQ Rev.G

·FBGA封装(无铅) - ×4,x8

-60-ball FBGA(8mmx 10mm)Rev.H CF.

·FBGA封装(铅焊料)-x16

-84-ball FBGA(8mmx12.5mm)Hw Rev.G,H

·FBGA封装(铅焊料) - ×4,x8

-60-球FBGA(8mmx11.5mm)HV Rev.G

·FBGA封装(铅焊料)-X4,x8

-60-ball FBGA(8mmx 10mm)ReV.H JN

·定时循环时间

-1.875ns@CL=7(DDR2-1066)-187E

-2.5ns@CL=5(DDR2-800)-25E

-2.5ns@CL=6(DDR2-800)-25-3.0ns令CL = 4(DDR2-667)-3E

-3.0ns@CL=5(DDR2-667)-3-

-3.75ns@CL=4(DDR2-533)-37E

·自刷新 -  StandardNone

-低电量

·工作温度

 - 商业(0" ℃≤Tc≤85' ℃)无

 - 工业(-40°℃sTc595'GrT

-40℃≤T/≤85℃)

 - 汽车(-40' ℃STC,TAS1050C)AT